国家牵头逆袭计划，美媒：碳基芯片获重大进展，中国洗牌的良机

导读：这次国家主导这项逆袭计划，似乎说明八字已经有一撇了，但还需要国家统筹计划迅速出成果。而中国举全国之力的项目基本都会实现，向来说到做到。在新技术路线上，现在中美在同一起跑线，这是中国逆袭重新洗牌的良机。

近些年，即使中国科技迅猛发展，但一直还有个“心病”---芯片。自1954年，硅晶体管问世并成为集成电路技术主流，我们在这条路上要补的课太多了。目前中国是全球最大的芯片消耗国，半导体供应链安全对于中国来说极为重要。而最近美媒曝光，中国正推动一项万亿美元的芯片逆袭计划，而且这次要换道超车？

在6月18日，美国《彭博社》报道称，为了发展中国半导体芯片产业，中国政府高层正推动一项“芯片对抗”计划，并预留了约1万亿美元的资金，由中国国务院副总理刘鹤挂帅主导。而该计划的核心不再围绕追赶传统的硅基芯片，而是聚焦新兴的第三代半导体芯片。早在今年5月，刘鹤就牵头召开了技术工作组会议，讨论发展第三代半导体技术的方法。这个第三代半导体技术有何意义，中国已经发展到什么阶段？

传统上芯片都是基于硅片制造，并伴随着“摩尔定律”。即集成电路上能容纳的晶体管数每18个月增加一倍、性能提升一倍，但经过了60年开发“摩尔定律”已经奄奄一息，基本上已经快到了物理极限。

还有一条路就是跳出硅基芯片的束缚，发展第三代半导体技术，用第三代半导体技术发展全新芯片，就是碳基芯片。第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更大的电子饱和漂移速率、更高的抗辐射能力等特性。目前都处于研发阶段，没有任何公司或国家占据主导地位。

不过在去年中国科学院院士彭练矛曾披露，经过20年的努力，北京大学与北京市联合创建的北京元芯碳基集成电路研究院团队，已经成功把碳纳米管半导体纯度提升到99.99995%，并在4英寸晶圆上制备出密度120毫微米、直径分布1.45±0.23nm的碳纳米管阵列，理论上达到超大规模碳纳米管集成电路的需求，而且在真实电子学表现上超过传统硅基产品。不过下一步90纳米的碳基CMOS先导工艺开发还有更多工程性问题，而工程问题需要大量工程试验来解决。

而这次国家主导这项逆袭计划，似乎说明八字已经有一撇了，但还需要国家统筹计划迅速出成果。而中国举全国之力的项目基本都会实现，向来说到做到。在新技术路线上，现在中美在同一起跑线，这是中国逆袭重新洗牌的良机。