北大彭练矛院士团队重磅Nature：突破硅基芯片极限，性能超英特尔

近期，北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组制备了10 nm超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0 5 V，这也是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管。

中国成功开发出一种光子芯片，比传统的硅基芯片快1000倍

中国的科研团队已经成功开发出一种光子芯片，比传统的硅基芯片快1000倍，刷新了国际上对芯片技术的理解和认知。这一惊人的成果让许多人大为震惊，也让人们充满了对未来的无限憧憬。